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晶体管
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IKW50N60H3

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数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥38.0358
380.358
100
¥32.9621
3296.21
250
¥31.2784
7819.6
500
¥28.0466
14023.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2STF2550
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV high performance PNP power transistor
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:39866
SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥17.5941
10:¥16.4415
100:¥13.2888
500:¥10.3734
2,000:¥7.8422
4,000:查看
参考库存:13663
STP3N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
参考库存:9015
DMP32D4S-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:94017
DTC114TUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46924

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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