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晶体管
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IKW50N60H3

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数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥38.0358
380.358
100
¥32.9621
3296.21
250
¥31.2784
7819.6
500
¥28.0466
14023.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC2400UV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:751690
SMBT2222AE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:169622
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:3144
APTGT75DA60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥349.0118
5:¥337.2485
10:¥326.344
25:¥301.7552
参考库存:3306
RD3L140SPFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
2,500:¥4.1019
参考库存:15573

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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