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晶体管

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APTGT75DA60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥349.0118
349.0118
5
¥337.2485
1686.2425
10
¥326.344
3263.44
25
¥301.7552
7543.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT75DA60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 300-700
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:28447
晶体管
MOSFET Low Power MCU; LCD 5x29, 16Kbyte ROM, TQFP100
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:28452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:28457
晶体管
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
暂无价格
参考库存:28462
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
3,000:¥6.8365
6,000:查看
参考库存:28467
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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