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晶体管
IRGR2B60KDTRRPBF参考图片

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IRGR2B60KDTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.9157
4457.85
3,000
¥6.8365
20509.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
6.3 A
Pd-功率耗散
35 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001533092
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IRGR2B60KDTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥122.0174
10:¥112.1864
25:¥107.4969
100:¥94.7392
参考库存:11841
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
800:¥6.1585
参考库存:32833
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
3,000:¥6.0229
参考库存:12955
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 47K
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:10947
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:3399
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    50万现货SKU

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