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晶体管
SQS840EN-T1_GE3参考图片

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SQS840EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
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库存:13,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.5596
55.596
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.4917
1745.85
1,000
¥2.7911
2791.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
13.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.6 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
商品其它信息
优势价格,SQS840EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:208739
晶体管
MOSFET PMOS DPAK -40V -100A 4.4 mOhm
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3337
2,500:¥5.65
5,000:查看
参考库存:16836
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6161
500:¥4.9607
1,000:¥3.9211
1,500:¥3.9211
参考库存:17673
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥6.1472
3,000:¥6.1472
参考库存:19340
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,406.5497
5:¥2,348.6937
10:¥2,290.3744
25:¥2,258.2485
参考库存:4372
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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