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晶体管

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FF200R12KT4

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库存:3,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥799.5993
799.5993
5
¥784.9206
3924.603
10
¥749.5742
7495.742
25
¥724.6012
18115.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
320 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KT4HOSA1 SP000370618
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF200R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.61472
参考库存:19620
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:21137
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
1:¥5.2206
10:¥4.3505
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥2.2487
参考库存:13389
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
2,500:¥3.0171
参考库存:24871
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:26033
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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