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晶体管
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IRG7PH35UDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
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数量单价合计
1
¥57.9351
57.9351
10
¥52.3303
523.303
25
¥49.8669
1246.6725
100
¥43.3355
4333.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
180 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537540
单位重量
38 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VP3203N3-G P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:26315
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 1K 10K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:26320
SD56120
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
1:¥1,229.9824
5:¥1,200.399
10:¥1,170.5783
25:¥1,154.2159
参考库存:2025
PN4338
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -50V 50mA 300mW 2mW
468:¥15.2098
500:¥13.673
1,000:¥11.526
2,500:¥10.9836
参考库存:26327
PUMZ1,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 100mA
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:29262

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