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晶体管
IRFH5302DTRPBF参考图片

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IRFH5302DTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
4,000
¥6.4749
25899.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001570962
商品其它信息
优势价格,IRFH5302DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA NPN GP
1,750:¥3.2996
2,800:¥2.9267
10,150:¥2.825
25,200:¥2.7233
参考库存:34898
晶体管
JFET N-Ch Matched 40mV Dual Trans Reel/1000
1,000:¥99.5869
参考库存:34903
晶体管
MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet
4,000:¥7.1642
5,000:¥6.9043
10,000:¥6.7574
参考库存:34908
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
2,500:¥3.842
10,000:¥3.7064
25,000:¥3.5934
参考库存:34913
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
3,000:¥4.6104
参考库存:34918
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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