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晶体管
BSM50GAL120DN2参考图片

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BSM50GAL120DN2

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库存:1,368(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥534.264
534.264
5
¥524.433
2622.165
10
¥510.9069
5109.069
25
¥500.8386
12520.965
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
400 W
封装 / 箱体
Half Bridge GAL 1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GAL120DN2HOSA1 SP000101727
单位重量
250 g
商品其它信息
优势价格,BSM50GAL120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
5,000:¥6.2828
10,000:查看
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1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
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1:¥13.1419
10:¥11.6051
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1:¥18.7467
10:¥15.5262
100:¥13.0628
500:¥12.0684
1,000:¥11.4469
3,000:¥10.8367
参考库存:21705
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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