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晶体管
DMN62D1LFDQ-7参考图片

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DMN62D1LFDQ-7

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库存:37,138(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.69947
2098.41
9,000
¥0.63732
5735.88
24,000
¥0.59212
14210.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFDQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:47188
晶体管
MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3916
晶体管
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
1:¥49.8669
10:¥47.799
25:¥43.7988
50:¥41.8778
参考库存:4033
晶体管
MOSFET
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
3,000:¥12.8368
6,000:查看
参考库存:4665
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
参考库存:4402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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