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晶体管
FGP15N60UNDF参考图片

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FGP15N60UNDF

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库存:7,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGP15N60UNDF
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FGP15N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
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1:¥3.1527
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100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
2,500:¥0.86106
6,000:查看
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5,000:¥3.2318
参考库存:34376
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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