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晶体管
SI2318DS-T1-GE3参考图片

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SI2318DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.373
237.3
500
¥1.9549
977.45
3,000
¥1.3786
4135.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI2318DS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2318DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:10245
FDC6310P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:37697
RN4910,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:37702
DMN3013LDG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:37707
PMN48XPAX
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:37712

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