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晶体管
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SI4532DY

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1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.9438
59.438
100
¥3.842
384.2
1,000
¥3.0736
3073.6
2,500
¥3.0736
7684
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4532DY
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
7 S, 5 S
下降时间
0.8 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 9 ns
零件号别名
SI4532DY_NL
单位重量
230.400 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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