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晶体管
IRLR8729TRPBF参考图片

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IRLR8729TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
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库存:41,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,000
¥1.3334
2666.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
11.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
91 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP001569082
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR8729TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
参考库存:27583
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:25155
晶体管
MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5258
4,000:¥7.5258
参考库存:14952
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥13.447
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2885
参考库存:2904
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 125mW 0.5mm
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0792
1,000:¥1.5594
8,000:¥1.2317
24,000:查看
参考库存:41226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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