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晶体管
NTJS3157NT1G参考图片

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NTJS3157NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 4A N-Channel
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.373
23.73
100
¥1.09158
109.158
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
6.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
NTJS3157N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,NTJS3157NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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10:¥15.368
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800:¥8.9157
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1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
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1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
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3,000:¥0.44522
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4,000:¥2.6442
参考库存:47985
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