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晶体管
TSM055N03EPQ56 RLG参考图片

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TSM055N03EPQ56 RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet
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库存:29,277(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.7064
370.64
500
¥2.7233
1361.65
2,500
¥1.8645
4661.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.2 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
商品其它信息
优势价格,TSM055N03EPQ56 RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 9.0mohm MOSFET
1:¥3.616
10:¥3.5934
25:¥3.0058
100:¥2.7685
3,300:¥2.3843
9,900:查看
参考库存:15648
晶体管
MOSFET Low Side IntelliFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7235
500:¥5.9438
1,000:¥4.6895
2,500:¥4.6895
参考库存:14000
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥996.3097
参考库存:30657
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
286:¥50.3302
500:¥45.878
1,000:¥39.9568
参考库存:30662
晶体管
MOSFET
50:¥3,337.003
参考库存:30667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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