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晶体管
DMG9926UDM-7参考图片

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DMG9926UDM-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC, 8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
980 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG9926
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.9 ns, 8.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns, 8.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40.4 ns, 40.4 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns, 8.4 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格，DMG9926UDM-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA124XMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
10,000:¥0.35369
20,000:¥0.33787
50,000:¥0.31527
100,000:¥0.27685
参考库存:33291
SCT30N120D2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
490:¥131.4755
参考库存:33296
DRA2L14Y0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
6,000:¥0.45313
9,000:¥0.40002
24,000:¥0.37629
45,000:¥0.32318
参考库存:33301
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
800:¥10.1474
1,600:¥8.3733
3,200:¥7.8422
5,600:¥7.5032
参考库存:33306
NVMFS6H836NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V SO8FL
1,500:¥4.294
9,000:¥4.1358
参考库存:231349

  • 海量现货

    50万现货SKU

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