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晶体管
BSS314PE H6327参考图片

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BSS314PE H6327

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库存:2,617(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS314
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
零件号别名
BSS314PEH6327XT BSS314PEH6327XTSA1 SP000928944
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS314PE H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V N Channel Power Mosfet
4,000:¥12.4526
5,000:¥11.9102
参考库存:28163
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:28168
晶体管
MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET
4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1914
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:28180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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