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晶体管

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APTGT400A120D3G

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库存:28,180(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥1,615.4819
161548.19
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.1 kW
封装 / 箱体
D3-11
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT400A120D3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:34690
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
2,000:¥0.72998
参考库存:24245
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
3,000:¥2.3956
参考库存:34247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 1KOhm / 10KOhm
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.52997
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:34699
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.1695
参考库存:34704
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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