DDTA115GE-7-F详细信息_DDTA115GE-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	82
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA115
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	82
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VT6J1T2CR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET	1:¥3.2996 10:¥2.1018 100:¥0.90626 1,000:¥0.69947 8,000:¥0.46895 24,000:查看	参考库存:128765
BC846W,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7	1:¥0.92208 10:¥0.89157 100:¥0.31527 1,000:¥0.2147 3,000:¥0.16159	参考库存:103317
DDTC115TCA-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:30224
MMBT6427-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 40V 300mW	1:¥2.0001 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.40002 3,000:¥0.30736	参考库存:77186
PMST2222A,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600mA 40V	1:¥1.7628 10:¥1.2204 100:¥0.50737 1,000:¥0.34578 3,000:¥0.27685	参考库存:6713