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晶体管
TSM190N08CZ C0G参考图片

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TSM190N08CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 75V N Channel Power Mosfet
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库存:28,163(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥12.4526
49810.4
5,000
¥11.9102
59551
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
190 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
75 V
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TSM190N08CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2098
250:¥14.4414
500:¥12.9837
5,000:¥12.9837
参考库存:3793
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
参考库存:5745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:33302
晶体管
MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:19544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:23441
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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