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晶体管
FMMT720TA参考图片

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FMMT720TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SuperSOT
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库存:36,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 245 mV
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT720
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 60 at 1.5 A, 2 V, 12 at 3 A, 2 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,FMMT720TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
3,750:¥2.0001
5,625:¥1.9662
11,250:¥1.808
26,250:¥1.7289
参考库存:29356
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥878.2021
参考库存:29361
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8024
25,000:¥2.7233
参考库存:29366
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:29371
晶体管
MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
2,500:¥5.6161
参考库存:29376
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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