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晶体管
FQD12N20LTM-F085P参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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FQD12N20LTM-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
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库存:29,376(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥5.6161
14040.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
11.6 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQD12N20LTM_F085P
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,FQD12N20LTM-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥45.3356
10:¥37.5725
100:¥30.962
250:¥29.9676
500:¥26.894
参考库存:8214
晶体管
MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9156
10:¥5.5596
100:¥4.2149
500:¥3.4917
1,000:¥2.7911
3,000:¥2.5312
参考库存:13656
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:53008
晶体管
MOSFET P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥18.6676
10:¥16.8257
100:¥13.5261
500:¥9.2999
参考库存:10765
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:66787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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