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晶体管
BSC017N04NS G参考图片

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BSC017N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:32,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
5,000
¥7.1303
35651.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
BSC017N04NSGATMA1 BSC17N4NSGXT SP000394684
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC017N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA -45
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:24031
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
4,000:¥0.99892
参考库存:24783
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:71920
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DOUBLE NPN TRANSISTR
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:71652
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C3
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:4809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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