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晶体管
IPL60R199CP参考图片

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IPL60R199CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
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库存:20,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.3516
26.3516
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
3,000
¥13.221
39663
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ThinPAK-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
16.4 A
Rds On-漏源导通电阻
199 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPL60R199CPAUMA1 IPL6R199CPXT SP000841892
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,IPL60R199CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥7.91
参考库存:54376
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:117123
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50mA 50V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:291395
晶体管
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
2,500:¥2.2713
参考库存:62622
晶体管
MOSFET 20V 915mA N-Channel
1:¥3.1527
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:141644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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