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晶体管
APT38F80L参考图片

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APT38F80L

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power FREDFET - MOS8
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库存：1,161(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥144.9225
144.9225
10
¥131.7015
1317.015
25
¥121.7914
3044.785
50
¥115.1809
5759.045
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
41 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.04 kW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
46 ns
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格，APT38F80L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF
3,000:¥6.0907
6,000:¥5.8534
9,000:¥5.6274
参考库存:28871
TP0606N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:28876
DDTD142TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28881
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FCP11N60N, in TO220 F102 T/F option
800:¥13.1419
1,600:¥10.9158
3,200:¥10.1474
5,600:¥9.7632
参考库存:28886
DZTA42-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 300V
2,500:¥1.11418
参考库存:28891

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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