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晶体管
NGTB30N135IHR1WG参考图片

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NGTB30N135IHR1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII
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库存:1,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.35 kV
集电极—射极饱和电压
2.6 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N135IHR1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1,160:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:27771
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
参考库存:10706
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
5,000:¥2.8024
10,000:¥2.7007
25,000:¥2.6103
参考库存:27778
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8873
500:¥5.198
1,500:¥3.6386
9,000:查看
参考库存:27783
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4241
1,000:¥6.1472
2,500:¥6.1472
参考库存:15718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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