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晶体管
IKW30N60TFKSA1参考图片

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IKW30N60TFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
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库存:5,581(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
39 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60T IKW3N6TXK SP000054887
单位重量
5 g
商品其它信息
优势价格,IKW30N60TFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.75258
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.3616
参考库存:30233
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
1:¥28.6568
10:¥23.052
100:¥20.9728
250:¥18.9049
参考库存:14834
晶体管
MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
1:¥4.5313
10:¥3.616
100:¥2.4521
500:¥1.6837
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:68311
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
1:¥24.5097
10:¥22.2045
25:¥19.8202
50:¥18.6676
参考库存:30242
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:30247
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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