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晶体管
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IRG4BC30KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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数量单价合计
1
¥26.9731
26.9731
10
¥22.8938
228.938
100
¥19.8993
1989.93
250
¥18.8258
4706.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.21 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
28 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
28 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532644
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRMD13Z
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD13/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:31851
BC857BLT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V PNP
40,000:¥0.12317
50,000:¥0.10735
100,000:¥0.09266
参考库存:31856
2N6549
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500:¥29.041
1,000:¥27.4364
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参考库存:31861
FDMA1028NZ-F021
ON Semiconductor / Fairchild
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3,000:¥1.8645
9,000:¥1.7854
24,000:¥1.7176
45,000:¥1.695
参考库存:31866
DME205010R
Panasonic
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3,000:¥0.72998
9,000:¥0.68365
24,000:¥0.63054
45,000:¥0.59212
参考库存:31871

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