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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA143
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	- 0.3 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
类型	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM130NB06LCR RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET	1:¥8.3733 10:¥7.3789 100:¥5.6613 500:¥4.1923 2,500:¥2.9606 5,000:查看	参考库存:32059
MPS3415	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW	1:¥26.668 10:¥23.8204 100:¥21.6734 250:¥19.5942	参考库存:32064
TSC5804DCH C5G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast Switching NPN Transistor with diode	15,000:¥2.0227 24,375:¥1.9436	参考库存:32069
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