DTC113ZU3HZGT106详细信息_DTC113ZU3HZGT106相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFI9Z34GPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET	1:¥23.8995 10:¥19.8202 100:¥15.368 500:¥13.447 1,000:¥11.1418	参考库存:6506
FQD5P10TM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V P-Channel QFET	1:¥4.9946 10:¥4.1471 100:¥2.5199 1,000:¥1.9549 2,500:¥1.6611 10,000:¥1.6498	参考库存:13213
BCP56-16,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 4,000:¥0.66105	参考库存:43195
STFW38N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package	1:¥50.2511 10:¥45.4147 25:¥43.2564 100:¥37.5725	参考库存:4947
APT75GT120JU3	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	1:¥324.0388 5:¥313.123 10:¥302.9078 25:¥280.1609	参考库存:3654