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晶体管
IRFI4212H-117P参考图片

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IRFI4212H-117P

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin
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库存:13,839(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
1,000
¥7.5936
7593.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-5
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
SP001560448
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFI4212H-117P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:117383
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 22K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:16150
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.5369
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
10,000:¥0.67574
20,000:查看
参考库存:25152
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥300.6704
2:¥292.4553
5:¥284.3871
10:¥276.2398
参考库存:1179
晶体管
MOSFET Power MOSFET 30V 100A 8.4 mOhm Single
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:7956
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    50万现货SKU

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