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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2 V
在25 C的连续集电极电流	195 A
栅极—射极漏泄电流	300 nA
Pd-功率耗散	500 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSBC124EPDP6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 COMP NBRT	1:¥2.7685 10:¥1.7515 100:¥0.75258 1,000:¥0.5763 8,000:¥0.39211 24,000:查看	参考库存:84713
IRGP4068DPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode	1:¥53.6298 10:¥48.4883 25:¥46.1831 100:¥40.115	参考库存:7955
SI2328DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23	1:¥6.4523 10:¥5.198 3,000:¥5.198	参考库存:69257
IRLR9343TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC	1:¥6.2263 10:¥5.2319 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007 2,000:¥2.7007	参考库存:73944
IPP045N10N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥19.436 10:¥16.5206 100:¥13.221 500:¥11.6051 1,000:¥9.605	参考库存:5526