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晶体管
APT80GA60B参考图片

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APT80GA60B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
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库存:4,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.5242
88.5242
10
¥79.6876
796.876
25
¥72.6138
1815.345
50
¥67.6192
3380.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
143 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
143 A
高度
21.46 mm
长度
16.26 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
5.31 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
143 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT80GA60B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥24.6679
10:¥20.9728
100:¥18.1365
250:¥17.2099
3,000:¥12.3735
6,000:查看
参考库存:17356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:213258
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥16.0573
参考库存:6725
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:3417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:71829
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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