DDTC114WE-7-F详细信息_DDTC114WE-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.12
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	24
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTC114
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	24
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
类型	NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTXV2N6286	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Power BJT	100:¥591.1256	参考库存:31052
ALD310702APCL	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair	50:¥50.9404 100:¥48.4092 250:¥43.3355 500:¥40.8043	参考库存:31057
JAN2N4238	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥364.764 250:¥340.4012	参考库存:31062
JANTXV2N4235	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	100:¥401.263	参考库存:31067
ALD810027SCLI	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V	50:¥32.5779 100:¥30.51 250:¥27.5833 500:¥24.747	参考库存:31072