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晶体管
STW20N90K5参考图片

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STW20N90K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:24,444(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.6352
48.6352
10
¥43.957
439.57
25
¥41.8778
1046.945
100
¥36.4199
3641.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW20N90K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64.7 ns
典型接通延迟时间
20.2 ns
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格,STW20N90K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A IGBT4
1:¥4,267.4676
5:¥4,010.2796
参考库存:27185
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 4.0Vgs 15Vds 10mA
820:¥8.2264
1,000:¥6.7913
2,500:¥6.0907
10,000:¥5.8647
参考库存:27190
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥412.0206
5:¥389.737
10:¥385.2735
25:¥356.3116
参考库存:27195
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:27200
晶体管
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥33.4254
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.3571
参考库存:8301
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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