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晶体管
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FF900R12IE4

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数量单价合计
1
¥3,799.2747
3799.2747
5
¥3,570.2915
17851.4575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5.1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IE4BOSA1 SP000614712
商品其它信息
优势价格,FF900R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:28528
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
1:¥7.8422
10:¥6.6783
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5821
参考库存:9810
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:46152
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
1:¥2.8476
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:235319
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥7.9891
10:¥7.0851
100:¥5.5031
500:¥4.1245
1,000:¥3.3335
2,000:¥2.9493
参考库存:11966
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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