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晶体管
DMN2020UFCL-7参考图片

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DMN2020UFCL-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
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159.33
1,000
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1197.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1616-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2020
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
商品其它信息
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500:¥24.747
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