DMN26D0UDJ-7详细信息_DMN26D0UDJ-7相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-963-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	240 mA
Rds On-漏源导通电阻	3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	450 mV
Vgs - 栅极-源极电压	4.5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	300 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFET Gate Drivers
系列	DMN26
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	180 mS
下降时间	15.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	7.9 ns
工厂包装数量	10000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	13.4 ns
典型接通延迟时间	3.8 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPB50R140CP	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP	1:¥32.657 10:¥27.7415 100:¥24.0464 250:¥22.826 1,000:¥17.289 2,000:查看	参考库存:7694
IRF7853TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg	1:¥9.6841 10:¥8.2264 100:¥6.3506 500:¥5.6048 4,000:¥3.9211 8,000:查看	参考库存:18851
IRFL4315TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC	1:¥5.763 10:¥4.7912 100:¥3.0962 1,000:¥2.486 2,500:¥2.486	参考库存:2648
BSZ120P03NS3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3	1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7911 1,000:¥2.2374 5,000:¥1.8871	参考库存:45490
ZVN3310FTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 100 V	1:¥4.3844 10:¥3.6951 100:¥2.3843 1,000:¥1.9097 3,000:¥1.9097	参考库存:10712