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晶体管
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DTM3A25P20NFDB-7

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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5651
25.651
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.03734
3112.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, PNP
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
736.6 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格，DTM3A25P20NFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VEC2616-TL-H-Z-W
ON Semiconductor
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3,000:¥1.921
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参考库存:30960

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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