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晶体管
DTM3A25P20NFDB-7参考图片

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DTM3A25P20NFDB-7

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库存:14,046(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5651
25.651
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.03734
3112.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, PNP
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
736.6 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格,DTM3A25P20NFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
1:¥7.91
10:¥6.5766
100:¥5.0511
500:¥4.3392
1,000:¥3.4239
3,000:¥3.1979
参考库存:2545
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:32297
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP 500MA 80V
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:110414
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:109846
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 27A
1:¥254.9506
5:¥252.3403
10:¥235.1304
25:¥224.5988
参考库存:2543
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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