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晶体管
SIZ200DT-T1-GE3参考图片

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SIZ200DT-T1-GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.5766
65.766
100
¥5.0511
505.11
500
¥4.3392
2169.6
1,000
¥3.4239
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3S-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
61 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
28 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay
正向跨导 - 最小值
118 S, 105 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ200DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:33350
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:8927
晶体管
MOSFET BUK7K89-100E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.5312
参考库存:11559
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V 5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:16811
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:11173
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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