RN2309(TE85L,F)详细信息_RN2309(TE85L,F)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	2.14
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2309
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	70
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MSC040SMA120S	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥248.7356 5:¥239.0515 10:¥230.1358 25:¥211.4682	参考库存:1450
BC52-10PA,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Chemical content BC52-10PA	1:¥3.4578 10:¥2.2374 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.56048	参考库存:25572
2SK3811-ZP-E1-AY	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	800:¥17.063 2,400:¥16.2155	参考库存:25577
DTC143EU3HZGT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323	1:¥2.4634 10:¥1.6611 100:¥0.69156 1,000:¥0.47686 3,000:¥0.36838	参考库存:16012
MZ0912B100Y	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN	50:¥2,375.5086	参考库存:25584