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晶体管
SIZF906ADT-T1-GE3参考图片

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SIZF906ADT-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
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数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥6.8026
3401.3
3,000
¥5.0172
15051.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5F-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC, 100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W, 83 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
130 S, 130 S
下降时间
40 ns, 30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 45 ns
商品其它信息
优势价格,SIZF906ADT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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