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晶体管
NGTB40N120FL2WAG参考图片

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NGTB40N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥40.2619
40.2619
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.6625
2966.25
250
¥28.1257
7031.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
21 mm
长度
16.13 mm
工作温度范围
- 55 c to + 175 C
宽度
5.21 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，NGTB40N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3637UB
Microsemi
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250:¥127.6335
500:¥119.4071
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100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
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10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:31200
2SC4726TLN
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1:¥2.7685
10:¥2.1018
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
参考库存:31205

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