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晶体管
NGTB40N120FL2WAG参考图片

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NGTB40N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥40.2619
40.2619
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.6625
2966.25
250
¥28.1257
7031.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
21 mm
长度
16.13 mm
工作温度范围
- 55 c to + 175 C
宽度
5.21 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，NGTB40N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA64 TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:30301
JANSR2N7262U
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥3,359.6708
5:¥3,313.4199
10:¥3,197.4706
25:¥3,081.5891
参考库存:30306
APTGT400U120D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:30311
2N3819
Central Semiconductor
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:30316
SI4632DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:30321

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