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晶体管
STGWT40V60DF参考图片

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STGWT40V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:4,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.1981
参考库存:5167
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,500:¥1.2995
参考库存:28829
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.7A 15V
1:¥2.7685
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:58256
晶体管
MOSFET 40V 6Ohm
1:¥4.7686
10:¥4.7573
25:¥3.955
100:¥3.5595
3,000:¥2.2713
9,000:查看
参考库存:24763
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:71635
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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