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晶体管
STP120N4F6参考图片

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STP120N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
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数量单价合计
1
¥16.6788
16.6788
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP120N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP120N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
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100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
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1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:320097
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双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:39944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
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IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥88.366
10:¥79.5294
25:¥72.4556
50:¥67.461
参考库存:3463
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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