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晶体管
APT40GR120B2D30参考图片

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APT40GR120B2D30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
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¥88.366
88.366
10
¥79.5294
795.294
25
¥72.4556
1811.39
50
¥67.461
3373.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
88 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT40GR120B2D30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4234
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:31463
JAN2N2857UB
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥91.2814
250:¥83.2132
500:¥77.8344
1,000:¥71.4612
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JAN2N3735L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.6712
250:¥82.6821
500:¥77.3824
1,000:¥70.9979
参考库存:31478

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