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FZ300R12KE3G

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数量单价合计
1
¥748.1165
748.1165
5
¥734.3644
3671.822
10
¥701.3232
7013.232
25
¥677.9548
16948.87
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
480 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
EUPEC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Stud
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ300R12KE3GHOSA1 SP000100743
商品其它信息
优势价格，FZ300R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS22DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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3,000:¥1.8419
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Infineon Technologies
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10:¥7.2207
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5,000:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:44212
SIS468DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:26609

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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