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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Id-连续漏极电流	28.5 A
Rds On-漏源导通电阻	65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.4 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	24 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	150 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel TrenchMOS Logic Level FET
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	55 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	12 ns
典型接通延迟时间	12 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFR 93AW H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631 9,000:¥0.72998	参考库存:90950
DMP2066LSN-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-channel 1.25W	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:30082
VN2210N3-G	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 0.35Ohm	1:¥14.5996 10:¥14.3736 25:¥12.0684 100:¥10.9836	参考库存:9294
ZTX449	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power	1:¥4.5313 10:¥3.8081 100:¥2.4634 1,000:¥1.9662	参考库存:21411
FDMA6023PZT	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench	1:¥5.763 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634 3,000:¥2.0792	参考库存:16138