MT3S20TU(TE85L)详细信息_MT3S20TU(TE85L)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S20
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	1.5 V
集电极连续电流	80 mA
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UFM-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	900 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANS2N5666	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥1,187.2571 5:¥1,148.532 10:¥1,109.6487 25:¥1,070.8445	参考库存:31736
JANTX2N3057A	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥137.6227 10:¥125.091 25:¥115.7233 50:¥109.497	参考库存:31741
DRC2123J0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm	3,000:¥0.47686 9,000:¥0.42262 24,000:¥0.40002 45,000:¥0.34578	参考库存:31746
TK14C65W5,S1Q	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS	50:¥19.6733 100:¥17.8992 250:¥16.2155 500:¥14.5205	参考库存:31751
BC850CE6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30 V 100 mA	1:¥1.5368 10:¥1.4238 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:31756