SISS22DN-T1-GE3详细信息_SISS22DN-T1-GE3相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：32,176(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-1212-8S
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	90.6 A
Rds On-漏源导通电阻	4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	44 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	65.7 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	TrenchFET, PowerPAK
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	SIS
晶体管类型	1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	50 S
下降时间	6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	12 ns

商品其它信息

优势价格，SISS22DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TK40A06N1,S4X	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V	1:¥7.5258 10:¥6.0116 100:¥4.6104 500:¥4.0793	参考库存:3286
DTA124EKAT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:44458
DMN66D0LT-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NMOS-Single	1:¥3.3787 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:18670
KSP42TA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥2.8476 10:¥1.921 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 2,000:¥0.43053	参考库存:71902
TK31N60W5,S1VF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS	1:¥49.4827 10:¥44.5672 25:¥40.567 100:¥36.6572	参考库存:12189